近日關于美光公司的審查結果落地，其產品未通過網絡安全審查。在此背景下，國產存儲芯片產商或迎來國產替代的機會。與此同時，從產能和價格看，存儲芯片行業將迎來周期修復。
美光公司產品未通過網絡審查
5月21日晚，據網信中國官微，日前，網絡安全審查辦公室依法對美光公司在華銷售產品進行了網絡安全審查。
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審查發現，美光公司產品存在較嚴重網絡安全問題隱患，對我國關鍵信息基礎設施供應鏈造成重大安全風險，影響我國國家安全。為此，網絡安全審查辦公室依法作出不予通過網絡安全審查的結論。按照《網絡安全法》等法律法規，我國內關鍵信息基礎設施的運營者應停止采購美光公司產品。
此次對美光公司產品進行網絡安全審查，目的是防范產品網絡安全問題危害國家關鍵信息基礎設施安全，是維護國家安全的必要措施。中國堅定推進高水平對外開放，只要遵守中國法律法規要求，歡迎各國企業、各類平臺產品服務進入中國市場。
國內替代產商和上游設備或將受益
據公開資料顯示，美光科技有限公司是美國存儲芯片巨頭，通過全球化的運營，美光公司制造并向市場推出DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導體組件以及存儲器模塊，用于前沿計算、消費品、網絡和移動便攜產品。
如果美光在中國區銷售受到限制，或將導致下游客戶轉而采購國外三星、 SK海力士，國內長江存儲、長鑫存儲等競對產品。
華泰證券表示，美光公司2021/2022年財報顯示，2021年該公司來自中國客戶的銷售收入占比為8.9%，2022年提升至10.8%，美光公司受查影響到其在中國區銷售情況，有可能導致下游客戶轉而采購國外三星、SK海力士，國內長江存儲、長鑫存儲等競對產品。
此外，長存、長鑫的上游設備廠也將從中受益。存儲器的生產已經演進到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工藝。另外NAND Flash現在已經進入3D NAND時代，2 維到3維的結構轉變使刻蝕和薄膜成為最關鍵、最大量的加工設備。3D NAND每層均需要經過薄膜沉積工藝步驟，同時刻蝕目前前沿要刻到 60：1的深孔，未來可能會更深的孔或者溝槽，催生更多設備需求。
其中，拓荊科技(薄膜沉積)，以及存儲業務占比較高的華海清科(CMP)、盛美上海(清洗)或迎來業績收入增長。
存儲周期底部企穩，龍頭減產加速行業修復
按產品種類分，存儲市場主要分為 DRAM、NAND、NOR Flash，其中 DRAM占據主要的市場規模。
DRAM 供給格局頭部化效應明顯，韓系廠商占據主要份額。根據Trendforce，22Q4 全球前三大 DRAM 廠商分別為韓國三星、韓國海力士與美國美光，三家廠商市占率合計為 95.8%。
NAND 競爭格局較 DRAM 分散，三星仍占據龍頭地位；NOR Flash 龍頭主要為臺系與陸系廠商，兆易創新排名全球第三。
而從行業整體來看，存儲芯片行業或已周期觸底，即將迎來上升周期。
德邦證券指出以波谷算，存儲行業周期約為 3-3.5 年，目前處于周期筑底階段。相較于半導體其它行業，存儲芯片具有大宗商品屬性，國際龍頭會在下游新興需求誕生時提升自身產能；而當擴產落地時，行業進入供過于求周期，各廠商則會通過降價進行庫存去化。供給與需求的錯配使得存儲行業具更強的周期性。
可以看到，在13Q2、16Q1、19Q3 左右，行業龍頭合計營收增速處于周期谷底，對應增速分別為-7%、-29%、-38%。若以谷底計算，存儲行業周期約為 3-3.5 年。22Q4，行業龍頭合計營收增速為-44%，處于筑底階段。若以三年計算，本輪下行周期預計在23Q3 前后結束。
從價格看，反映 DRAM 價格的 DXI 指數已接近 2020 年低值，目前行業價量齊跌。從 22Q1 開始，DXI 指數進入下行通道，指數有 41712 跌至 23Q1 的 22199，目前價格指數已接近 2020 年年初的水平。
而伴隨國際各龍頭廠商的減產，存儲行業后續有望反轉向上。目前，三星、海力士等存儲龍頭大都宣布下調未來產量與資本開支額。其中，海力士 23 年資本支出同比減少50%以上；美光宣布將所有DRAM和NAND晶圓產量減少約20%，德邦證券預計行業有望于 23Q2逐漸企穩，23Q3 逐步完成庫存去化，23Q4 迎來周期反轉。